沙烏地阿拉伯阿布杜拉國王科技大學與老國王科技城的研究人員提出了一種新穎的方法，能夠填補在基于多螢光粉的白光LED應用中常見因轉換效率不佳造成的“綠黃色差”(green-yellow gap)。

　　采用兩溫度步驟生長方法的元件結構SEM圖 (在納米線中嵌入的Qdisks 電子顯微鏡圖)

　　在發布于《ACS Photonics》期刊中的研究論文描述一種以588nm發射的納米線LED (NW LED)，能夠在相容于CMOS制程的低成本鈦(Ti)薄膜/矽(Si)基板平臺上生長。其緊密的納米線層可生長達到9x109 cm^?2的表面密度，填充因子為88%。

　　元件結構顯示并排生長的多納米線

　　每個納米線p-i-n LED結構嵌入一個5層3nm厚的InGaN量子碟(Qdisk)堆疊而成的主動區域，各層之間并以10nm量子阻障層區隔開來。

　　在單獨操作黃光納米線LED時，研究人員們在29.5 A/cm^2 (在0.5x0.5mm^2元件上約75mA)觀察到588nm的峰值發射以及約2.5V的低導通電壓，內部量子效率約39%，而且在達到29.5A/cm^2的注入密度以前，并不至于出現“效率降低”的情形。

　　接著，研究人員展示混合這種黃光以及紅、綠、藍雷射二極體的好處。在實際的設置時，使用RGB光束照射黃光納米線LED，就像螢光粉一樣，并在反射配置中采用光散射層，在白光混合物中添加其黃光發射。

　　其結果是大約為6000K的相關色溫，以及達到87.7的顯色指數。

　　KACST固態照明技術創新中心主任暨電子工程教授Boon S. Ooi表示，這種方法的目標在于降低白光中的藍光強度，從而創造一種對于人眼更為友善的的溫暖白光，同時為基于雷射的固態照明(SSL)提供調諧色溫的新方法。“目前，我們已經針對這項技術提出了專利，”而這也暗示了未來的一些商機。