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【AET阿爾泰】追求極致產品,微間距下的MIP工藝技術

來源:AET阿爾泰        編輯:ZZZ    2024-11-29 11:13:27     加入收藏    咨詢

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MIP(Micro LED in Package)芯片級板上封裝技術的封裝架構方式,在多層的半導體電路工藝設計,可實現放大焊盤和焊盤間距,使得固晶直通率提升

  隨著室內顯示市場的蓬勃興起,近年來,小間距LED超高清無縫顯示技術已在商場、安防監控、指揮中心、教育機構、能源廣電以及會議室等眾多應用場景中大放異彩。點間距P2.5、P1.8、P1.5乃至P1.2的顯示屏,已變得極為普遍且廣泛應用;同時,市場對于視距更短、解析度更高的顯示屏需求正穩步攀升。此外,LED技術的應用領域正不斷拓展,預計將更多地融入TV電視、車載設備、醫療器械、3C家電等多個細分的顯示領域,展現出其無限的潛力與魅力。

  全彩顯示技術三原色LED有紅R、綠G、藍B三種發光芯片,芯片通過正負電極的電路連接驅動,從而發出光亮并顯現出豐富的色彩。隨著點間距的不斷縮小和像素密度的提升,發光芯片的封裝工藝也經歷了顯著的變革。傳統P2.5使用2121的表貼封裝體,直到小間距時代,P1.2使用1010更小的封裝體(如下圖1),如此一來,才能夠合理的設計室內LED顯示產品,

  當前,科技產品正朝著更高的解析度和更小的點間距發展,這一趨勢已成為行業的共識。在此背景下,P0.9、P0.7、P0.4乃至P0.1以下級別的產品,正逐步成為顯示行業多元化應用的新藍海。這些產品不僅將推動顯示技術的進一步革新,還將為各類應用場景帶來更加細膩、逼真的視覺體驗。

圖1  全彩LED封裝體外型

  由于,在更小的面積上,要求更密的顯示像素,對LED發光元件的尺度需隨著點間距相對縮小而設計,因此COB(板上直接焊接芯片)的工藝方式應運而生,加上倒裝芯片的元器件和共陰的架構,使得LED產品在P1.0開始有了新的變化。  不同以往的是,不再需要打線工藝,從而提升良率、降低成本,并且整面覆膜代替了傳統表貼方式,具備防水、防塵、防磕碰等表面防護和性能,多層覆膜的底黑設計并能有防串光的效果,進而提升良率和器件的可靠度以及產品的信賴性。

  但是在實現微間距(小于P1.0)的路上,不同以往小間距所使用的HDI PCB線寬、線距、板層、銅厚等設計,透過MSAP制程的影像轉移、鍍銅和閃蝕刻等制程,以便形成線路垂直結構提升生產良率,對于微間距的電路設計里每一條線路都將面臨直通率的挑戰,COB制程所使用的超高密PCB板將面臨增加制作成本,和后段包含固晶生產良率下降,以及較低的量產效率。

  當使用固晶機抓取焊接晶片時,自然地對正負極焊盤(W)和焊盤間距尺寸(GAP)是越大越寬,將有機會使得直通率大大提升(如下圖2)。  因此,當芯片尺寸越小、間距要求變小,正裝金線固晶方式勢必淘汰,而倒裝芯片設計的尺寸逐步發展變小,焊盤和焊盤間距也隨之縮小,加上芯片與板材之間熱膨脹系數匹配影響,以及過程中固晶動作偏移和PCB焊盤位置偏移等因素,都會影響固晶良率的加劇降低,這對微間距上布滿密度超高、尺寸微小的每一個焊點,都將導致固晶的直通率降低、成本上升和生產周期加長。

圖2  LED芯片關鍵尺寸

  為了解決這個微間距尺寸對工藝、直通率和成本的問題,MIP(Micro LED in Package)芯片級板上封裝技術的封裝架構方式,在多層的半導體電路工藝設計,可實現放大焊盤和焊盤間距,使得固晶直通率提升,因此對于Micro LED 在50微米以下的芯片尺寸(1 mil相當于25.4 um),可將PCB需求50 微米以下線寬、線距的極限制作,將有機會轉化為100 微米的PCB線寬、線距需求。  如此一來,將使得原本芯片上的小焊盤能夠成功橋接大焊盤,加寬了影響短路的焊盤間距(如下圖3),同時能銜接上原本的HDI PCB材料和制備方式,不用擔心MSAP電路板的良率和更高的成本,仍然可保持現有的工藝技術、貼裝設備和生產效率,更有機會加大產業的量產規模。

  不僅如此,MIP的工藝技術優勢,還可以廣泛應用在玻璃基板上,并能降低板材成本,也可以使用全藍光芯片搭配半導體制程,使用量子點在硅基上制備轉色形成全彩的紅綠藍顯示,未來在0202、0101等的更小芯片和更密間距、更小尺寸的需求上,將可以被普遍、廣泛的使用在更多的新興增量、藍海市場。

圖3  MIP 橋接增大焊盤和焊盤間距示意圖

  MIP工藝對微小的倒裝芯片是進行半導體方式的封裝技術,使得原本的芯片電極可延展而出(如下圖4),焊盤之間的間距也可以隨著增加,灌膠、切割封裝形成分立器件的方式,仍然可使用固晶機和HDI的PCB板的基礎,即完成微間距 Micro LED顯示模組,對于不良的焊點在后段檢測、測試分選上,只需更換單顆器件,在生產的過程中同時降低了維護的成本和難度,這將使得制造產品的直通率、良率提升,并且降低成本優勢突出。

圖4  芯片電極在板層間的延展示意圖 

  Micro LED在微間距的生產制作過程,MIP的制造流程相當于COB工藝的進階版(如下圖5),主要是在前中段的芯片制作過程中,為加大電極面積和延展電路的設計可以提高量產直通率,因此多了黃光制備、絕緣層披覆、電極金屬化、刻蝕電路等多道的半導體設備制程,并在中后端進行切割、測試分選,同時可以直接在藍膜上進行和移轉,并且在制作的過程中,可以對后端需求的產品型態對應進行不同的工藝制備,同樣使用現下的固晶設備、巨量轉移和封裝模壓,則可完成一整體化的量產工作,不僅提高了品質直通率和生產效率,同時無縫銜接工藝制程,并有機會加大產業多元的應用面。

          

圖5  MIP和COB制造流程圖    

  對于LED小間距走向微間距的道路,相較傳統過去的表貼SMD LED因引腳外露防護等級弱,已不能滿足室內的環境要求,在未來廣泛的使用場景里,逐漸使用微間距P0.9以下,包含標準2K分辨率P0.7、標準4K分辨率P0.3的電視架構,以及8K LED顯示器和更多的穿戴式手表、眼鏡、車用面板等,都將是可以實現的藍海市場,同時對于室內小微間距、超密尺度產品的合理設計,其顯示效果、零壞點、防護要求將是產品的關鍵(如圖5)。  AET阿爾泰使命成為微間距顯示的極創者,追求高品質的超高清8K+物理分辨率,敢于超越現下的視頻源標準解析度和傳輸媒介,單一畫面解析度對應多物理分辨率,突破極短距離的肉眼分辨極限,獲得一極致和完美高質量的顯示屏幕效果。

  AET阿爾泰作為顯示屏解決方案廠家,在東莞市光大產業科技園擁有生產制造廠,自主研發設計打造極致產品,攜手上、中游的芯片廠、封裝模組廠,并提供定制各種軍規、商顯、民用的顯示模組單元,對LED顯示行業進行項目、工程和渠道等多種銷售型態;作為極致顯示產品引領的領跑者,AET阿爾泰對微間距產品從機構、電子、系統各方面,于20-23年通過8輪的產品開發,期間進行達上千次的設計、試錯、模擬、打樣、集成、重新設計、校正、優化、測試和多重驗證,以“標準尺寸+標準分辨率+標準接口”,解決LED顯示產品尺寸復雜、接口不統一、傳輸復雜、兼容性差、通用性差等行業痛點,引領LED顯示標準化、極簡化、通用化發展,革新傳統“(視頻源)電腦→拼接器→發送盒→(物理分辨率)顯示屏”顯示方案,率先實現“(視頻源)電腦→(物理分辨率)顯示屏”極簡直連,于21年5月ISLE展會重磅展示Mini/Micro LED標準顯示單元,逐年的展會中推出QCOB、COB工藝產品,推動LED顯示在標準尺寸、標準分辨率、標準系統三大構架的顛覆式創新,和在能耗、故障率、安裝/維護難度三大維度的指數級優化,在2023年的展會上,AET阿爾泰推出了55吋2K微間距MIP技術類產品,再次展現了其在創新極致視界方面的實力,AET阿爾泰以標準引領未來,致力于為用戶提供更加優質、高效的顯示解決方案。

圖6  LED在小/微間距顯示中的工藝技術發展

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