1. Micro-LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的重要性

　　巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)是Micro-LED顯示技術(shù)中的關(guān)鍵步驟，旨在將大量微小的LED芯片從生長(zhǎng)基板高效、精確地轉(zhuǎn)移到目標(biāo)驅(qū)動(dòng)基板上，以構(gòu)建高密度、高質(zhì)量的顯示陣列。由于Micro-LED的尺寸遠(yuǎn)小于常規(guī)LED，轉(zhuǎn)移過(guò)程具有極高的挑戰(zhàn)性，尤其是在數(shù)量、速度、精度、良率、穩(wěn)定性和成本方面。因此，巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)成為了Micro-LED技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵所在。

　　2.Micro-LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的挑戰(zhàn)

　　 Micro-LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的主要挑戰(zhàn)在于高效率轉(zhuǎn)移、高可靠性鍵合、快速檢測(cè)和修復(fù)。由于一個(gè)顯示屏通常需要轉(zhuǎn)移數(shù)十萬(wàn)乃至上千萬(wàn)顆LED芯片，對(duì)轉(zhuǎn)移過(guò)程的精度、效率、穩(wěn)定性等要求極高。高可靠性鍵合是指Micro-LED器件與背板結(jié)合的強(qiáng)度需要滿(mǎn)足產(chǎn)品的需求，避免產(chǎn)品使用過(guò)程中的新增壞點(diǎn)問(wèn)題。快速檢測(cè)和修復(fù)是指能夠快速、準(zhǔn)確地定位到屏體上壞點(diǎn)位置，并進(jìn)行替換，實(shí)現(xiàn)屏體的100%點(diǎn)亮。這些挑戰(zhàn)直接影響了Micro-LED技術(shù)的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

　　3. 辰顯光電如何提高M(jìn)icro-LED轉(zhuǎn)移效率和良率

　　辰顯光電通過(guò)采用印章轉(zhuǎn)移和激光轉(zhuǎn)移技術(shù)相結(jié)合的方法，大幅提升了Micro-LED轉(zhuǎn)移的效率。印章轉(zhuǎn)移技術(shù)以其高精度和成熟的產(chǎn)業(yè)鏈特點(diǎn)，在Micro-LED芯片的轉(zhuǎn)移過(guò)程中提供了穩(wěn)定性和可靠性，但其轉(zhuǎn)移效率相對(duì)較低。激光轉(zhuǎn)移技術(shù)以其高效率和靈活性?xún)?yōu)勢(shì)，在Micro-LED芯片的轉(zhuǎn)移中展現(xiàn)出了其快速和適應(yīng)性強(qiáng)的特性，尤其適合混bin技術(shù)的開(kāi)發(fā)，但精度相對(duì)較低。這兩種技術(shù)的結(jié)合，使辰顯光電在轉(zhuǎn)移效率和精度上達(dá)到了最佳平衡。目前，辰顯光電的轉(zhuǎn)移效率已達(dá)到每小時(shí)1000萬(wàn)顆。

　　為了提升轉(zhuǎn)移良率，辰顯光電從99.99%的轉(zhuǎn)移良率提高到99.995%僅用了3個(gè)月時(shí)間。辰顯光電的技術(shù)團(tuán)隊(duì)不斷優(yōu)化印章和激光轉(zhuǎn)移工藝，改善工藝流程，提升基板加工精度，從而實(shí)現(xiàn)高良率轉(zhuǎn)移。