背景概述

　　“十四五”開局之始，各地方政府積極把握新時期經(jīng)濟社會發(fā)展戰(zhàn)略方向，構(gòu)建新發(fā)展格局。廣東省率先發(fā)布《廣東省制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展“十四五“規(guī)劃》，將“超高清視頻顯示”納入十大戰(zhàn)略性支柱產(chǎn)業(yè)，推動超高清終端向規(guī)模化、產(chǎn)業(yè)化、高端化發(fā)展。在該背景下，國星光電前瞻布局戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)，牽頭承擔的Micro LED全彩顯示屏研發(fā)項目分別獲批國家重點研發(fā)計劃、廣東省重點領(lǐng)域研發(fā)計劃等科研項目。基于自主搭建的Micro LED創(chuàng)新研發(fā)平臺，國星光電全力推進Micro LED新型顯示項目開發(fā)，按下關(guān)鍵技術(shù)攻堅進程的“加速鍵”。

　　近日，國星光電Micro LED超高清顯示研發(fā)項目迎來關(guān)鍵里程碑式進展，成功點亮1.84英寸Micro LED全彩顯示屏——nStar Ⅲ ，該屏采用LTPS-TFT玻璃基驅(qū)動背板，像素間距縮小到0.078mm，分辨率360*480，采用全倒裝無襯底LED像素發(fā)光單元，可實現(xiàn)屏幕峰值亮度>1500nits，強光照射下仍可保持高清顯示畫面，相關(guān)技術(shù)成果未來有望在Micro LED手表等智能穿戴產(chǎn)品領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。

　　國星光電 nStar Ⅲ技術(shù)優(yōu)勢：

　　▌高精度轉(zhuǎn)移

　　采用國星光電自主研發(fā)的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)路線，實現(xiàn)>50多萬顆Micro LED芯片高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度<2um，轉(zhuǎn)移良率>99.9%。此外，國星Micro LED研發(fā)平臺未來還可支持12寸以內(nèi)基板上芯片多次拼接鍵合。

　　▌高集成封裝

　　采用國星光電自主研發(fā)的Micro LED玻璃基封裝專利技術(shù)，外形厚度更薄，平整度更高，可兼顧散熱與顯示一致性。

　　至此，國星光電已實現(xiàn)像素間距從P0.X至P0.0X等多樣化場景應(yīng)用的“未來國星屏”矩陣。接下來，公司將繼續(xù)深耕Micro LED微顯示賽道，開發(fā)硅基AR顯示技術(shù)，打造更全面、更多元化的Micro LED應(yīng)用領(lǐng)域布局，同時建立產(chǎn)品、技術(shù)及解決方案多元化平臺體系，期待與客戶聯(lián)合創(chuàng)新，推進新產(chǎn)品、新技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用，合力構(gòu)筑更美好的未來視界。